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MOS管控制问题(电源电压被瞬间拉低)及解决办法 附:网友大讨论

2019-07-03 02:38
        

  原标题:MOS管控制问题(电源电压被瞬间拉低)及解决办法 附:网友大讨论

  小编按:在电子设计的路上,遇到难题怎么办?面对同僚们的顾左右而言他,不如来二姨家论坛里寻求真知灼见。

  这里有不期而遇的隐身高手,也有诲人不倦的热情攻城狮,道理越辩越明,思想碰撞出火花,快来加入吧。

  各位模拟大神,求教一个问题。如下图,BAT+点的电压,通常在2.4~2.8V左右,但是,每当按键之后,MCU的5脚输出高电平,导通了Q1的一瞬间,BAT+点的电压会被瞬间拉低1.5~1.7V左右,持续约数十毫秒,结果就把MCU给拉死了,导致复位重启。

  C2再并联一较大电容数uF,再不行则R7再串萧持基二极管。电池也并联大值电容。我一个产品也一样情況,MCU采用2V可动作的,大电容用22uF,9V电池,负载是电磁蜂呜器和RF发射。

  to A1,电池是镍氢电池,带动电机没问题的。电机本身也是一个很小的有刷直流小电机而已。

  最大的问题,还是MOS管导通的瞬间,相当于短路到地了,所以才会将电源电压给瞬间拉低的。

  1、C2并大电容,一直试到220uF才解决问题,但是电容体积太大(电解电容),外壳装不下。

  2、并联肖特基,导致MCU端的供电电压下降了0.2~0.3V,当电池电压下降到2.0V时就面临复位的风险了,因为MCU的复位电压点就设置在1.6~1.8V之间。并且还是要并联大电容,外壳不允许。

  嗯,软启动这招已经试过了,效果确实可以,但是客户不接受,理由是:软启动导致马达缓慢转起来,在转动的那一瞬间,感觉很没劲。

  而硬启动,在启动的一瞬间有一种“猛然上冲”的感觉,体验比较爽。这是客户自己说的,我是死活 提验不出有啥差别。

  BAT+到单片机VDD,用肖特基二极管,然后电容尽可能的大。把单片机电源与电池隔离,单片机的耗电在压一压。

  mos管,那个100欧换大点,换个2K,下拉电阻加大,减少耗电。电容就能多抗一会。如果那个3r3换成肖特基,电容应该不需要这么大。电容的体积,不一定很大。

  也许该由电池夹子背锅。两个电池如果用电池夹子安装,有3-4个接触点,如果弹力不足,或接触表面不好,接触电阻可能比较大。

  C1 应该改小。1nF 即可。 二极管D2已经保护了MOSFET,电容只是通过EMC用。

  用100nF 会让电源瞬间跌落一半,甚至更多。MLCC误差可能达到50%。

  电池两端并联大电容可以让电机有“猛然上冲”的感觉,还可以减少其他毛病。一个瓷介电容都没有点不可思议

  用宵特基把MCU的电源和其他部分隔开即可。还不行,再加大MCU电源的电容。

  A10这个方法测试过了,虽然可以解决问题,但是又引入了其他新的问题,所以最终还是被否决了。

  这个电路是客户自己设计的,我们只是配合做了MCU及软件而已。现在出了问题就赖在我们身上,要求给解决,没辙啊,只能硬着头皮上了。

  to A7,电池是焊死在板子上的,不存在接触不良的问题。返回搜狐,查看更多



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